在电子电路中，mOS管和IgBT管会常常会呈现，它们都可当作开关元件来运用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较类似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？
下面咱们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有啥不一样的差异吧！
什么是MOS管？
场效应管主要有两品种型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，因为这种场效应管的栅极被绝缘层阻隔，所以又名绝缘栅场效应管。
MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
▲ MOSFET品种与电路符号
有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或许叫寄生二极管、续流二极管。
关于寄生二极管的效果，有两种解说：
1、MOSFET的寄生二极管，效果是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管形成损坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，然后防止MOS管被烧坏。
2、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压供给通路，防止反向感生电压击穿MOS管。
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压操控电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用处。
什么是IGBT？
IGBT (Insulated GAte Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器材。
IGBT作为新式电子半导体器材，具有输入阻抗高，电压操控功耗低，操控电路简略，耐高压，接受电流大等特性，在各种电子电路中取得极广泛的运用。
IGBT的电路符号至今并未一致，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标示的类型来判别是IGBT仍是MOS管。
一起还需要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表明必定没有，除非官方材料有特别阐明，不然这个二极管都是存在的。
IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了维护IGBT软弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。
判别IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表丈量IGBT的C极和E极，假如IGBT是好的，C、E南北极测得电阻值无穷大，则阐明IGBT没有体二极管。
IGBT很合适运用于如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。
MOS管和IGBT的结构特色
MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。
IGBT是经过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。
IGBT的抱负等效电路如下图所示，IGBT实践便是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺陷，但IGBT克服了这一缺陷，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。
别的，类似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时刻，因为IGBT关断拖尾时刻长，死区时刻也要加长，然后会影响开关频率。
挑选MOS管仍是IGBT？
在电路中，选用MOS管作为功率开关管仍是挑选IGBT管，这是工程师常遇到的问题，假如从体系的电压、电流、切换功率等要素作为考虑，可以总结出以下几点：
也可从下图看出两者运用的条件，暗影部分区域表明MOSFET和IGBT都可以选用，“？”表明当时工艺还无法到达的水平。
总的来说，MOSFET长处是高频特性好，可以作业频率可以到达几百kHz、上MHz，缺陷是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下体现杰出，其导通电阻小，耐压高。
MOSFET运用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通讯电源等等高频电源范畴；IGBT会集运用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等范畴。
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来历：电子电路